| 型号： | IRFD123PBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRFD123PBF PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR(F,L)D Series Top IR(F,L)D Series Side 1 IR(F,L)D Series Side 2 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 270 毫欧 @ 780mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1529 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRFD123PBF |